鹽霧試驗(yàn)箱的電路測試處理方法
摘要:鹽霧試驗(yàn)箱通過不斷加速的研究方法,獲得產(chǎn)品不同膜厚、不同部位、不同經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)的電泳涂料抗加速鹽霧試驗(yàn)的能力,以便識(shí)別和分析我們這些部位在涂裝過程中更加容易導(dǎo)致發(fā)生腐蝕,并采取相應(yīng)的防護(hù)技術(shù)措施。 |
人工加速模擬鹽霧環(huán)境測試是利用一種具有一定體積空間的測試設(shè)備——鹽霧試驗(yàn)箱,在體積空間中使用人工方法,導(dǎo)致鹽霧環(huán)境老化產(chǎn)品的耐鹽霧腐蝕性質(zhì)。與自然環(huán)境相比,鹽霧環(huán)境中氯化物的鹽濃度是自然環(huán)境中鹽霧含量的幾倍或幾十倍,大大提高了腐蝕速度。對產(chǎn)品進(jìn)行鹽霧測試時(shí),結(jié)果的時(shí)間也大大縮短。
鹽霧試驗(yàn)箱造成的單相現(xiàn)象主要包括:在靜電場的作用下,陶瓷復(fù)合絕緣子上的防腐堆積物起到半導(dǎo)體材料的作用,漏電流會(huì)增加。達(dá)到一定的泄漏電流值后,高壓電流會(huì)反方向快速流動(dòng),導(dǎo)致短路故障接地裝置瞬間出現(xiàn)短路故障。
單層接地體可分為顯性接地體和隱性接地體的兩種,瓷質(zhì)復(fù)合絕緣子崩裂是顯性接地體的主要表現(xiàn)形式,安全事故是較容易處理的。在陶瓷復(fù)合絕緣子沒有破裂下,只是降低了絕緣層,陶瓷復(fù)合絕緣子的表層是有空隙的,一般難以察覺,這類接地裝置安全事故是較難解決的。電器設(shè)備的耐蝕性、浸蝕性等問題比較突出。由于電力設(shè)備的長期暴露在外的緣故,經(jīng)受著日曬、雨淋和腐蝕的侵蝕,在不好氣候的條件下,設(shè)備外殼更易受侵蝕。界面是有明顯的浸蝕作用,易發(fā)生氣氧化澎漲、卷曲等接觸不良現(xiàn)象。銅聯(lián)接處的浸蝕是比較輕的,鋁聯(lián)接處的浸蝕就呈現(xiàn)比較嚴(yán)重了,銅-鋁聯(lián)接處可以很明顯地看出,鋁聯(lián)接處有乳白色的斑點(diǎn),并且有燙痕。
產(chǎn)品介紹:
鹽霧試驗(yàn)箱又名鹽水噴霧試驗(yàn)機(jī)、鹽霧試驗(yàn)機(jī)、鹽霧試驗(yàn)箱為人工氣候環(huán)境“三防”(濕熱、鹽霧、霉菌)試驗(yàn)設(shè)備之一,是研究機(jī)械、國防工業(yè)、輕工電子、儀表等行業(yè)各種環(huán)境適應(yīng)性和可靠性的一種重要試驗(yàn)設(shè)備。具有顯著的優(yōu)點(diǎn):腐蝕環(huán)境可以控制,環(huán)境再現(xiàn)性好;試驗(yàn)時(shí)間明顯縮短;節(jié)約了大量的人力、財(cái)力、物力,被廣泛應(yīng)用于對電子、電工及汽車、航空、軍用設(shè)備、五金工具等產(chǎn)品、零部件、金屬材料與制品的電鍍、涂層等進(jìn)行鹽霧腐蝕試驗(yàn)。
滿足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及測試方法 :
1.GB-T10125-2012人造氣氛腐蝕試驗(yàn) 鹽霧試驗(yàn)
2.ASTM/B117-2011鹽霧試驗(yàn)
3.GB-T5170.8-2008_電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法___鹽霧試驗(yàn)設(shè)備
4.GJB150.11A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法鹽霧試驗(yàn)
5. GBT2424.17-2008 鹽霧試驗(yàn)方法
6.GJB150.11_1986鹽霧試驗(yàn)箱
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